SI5947DU-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

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MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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Technische Daten für SI5947DU-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI5947DU-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 10V
Leistung max : 10.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® ChipFET™ Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® ChipFet Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SI594 , SI5947D

Dokumente für SI5947DU-T1-GE3

Datenblätter : SI5947DU-T1-GE3.pdf

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