IRLHS6276TRPBF - MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
RoHS-Status
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Technische Daten für IRLHS6276TRPBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRLHS6276TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 310pF @ 10V
Leistung max : 1.5W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-VQFN
Supplier Device Package : 6-PQFN (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRLHS6276TRPBF
Datenblätter : IRLHS6276TRPBF.pdf
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