DMTH6016LSDQ-13 - MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

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MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
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Technische Daten für DMTH6016LSDQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMTH6016LSDQ-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 864pF @ 30V
Leistung max : 1.4W, 1.9W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMTH6 , DMTH601

Dokumente für DMTH6016LSDQ-13

Datenblätter : DMTH6016LSDQ-13.pdf

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