IRF9393TRPBF - MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC

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MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
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Technische Daten für IRF9393TRPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRF9393TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.3 mOhm @ 9.2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1110pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SO
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRF9 , IRF939

Dokumente für IRF9393TRPBF

Datenblätter : IRF9393TRPBF.pdf

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