BSC030P03NS3GAUMA1 - MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für BSC030P03NS3GAUMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 345µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 186nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14000pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TDSON-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : BSC030 , BSC030P03

Dokumente für BSC030P03NS3GAUMA1

Datenblätter : BSC030P03NS3GAUMA1.pdf

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