NVMFS5832NLWFT3G - MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

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MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
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Technische Daten für NVMFS5832NLWFT3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVMFS5832NLWFT3G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.7W (Ta), 127W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NVMFS , NVMFS583

Dokumente für NVMFS5832NLWFT3G

Datenblätter : NVMFS5832NLWFT3G.pdf

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