RGT30NS65DGTL - IGBT 650V 30A 133W TO-263S
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Kurze Beschreibung
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
RoHS-Status
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Technische Daten für RGT30NS65DGTL
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RGT30NS65DGTL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 45A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 15A
Leistung max : 133W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 32nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 18ns/64ns
Testbedingung : 400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 55ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : LPDS (TO-263S)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RGT30NS65DGTL
Datenblätter : RGT30NS65DGTL.pdf
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