SUP25P10-138-GE3 - MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB

Hersteller Teilenummer

SUP25P10-138-GE3

Interne Teilenummer

AX-SUP25P10-138-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SUP25P10-138-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SUP25P10-138-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.8 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2100pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.1W (Ta), 73.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SUP25P10-138-GE3.pdf

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