AS4C8M32MSA-6BINTR - IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
118310 Pieces
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Technische Daten für AS4C8M32MSA-6BINTR
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
AS4C8M32MSA-6BINTR
Hersteller :
Alliance Memory, Inc.
Beschreibung :
IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Speichertyp :
Volatile
Speicherformat :
DRAM
Technologie :
SDRAM - Mobile
Speichergröße :
256Mb (8M x 32)
Taktfrequenz :
166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
15ns
Zugriffszeit :
5.5ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
90-VFBGA
Supplier Device Package :
90-FBGA (8x13)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für AS4C8M32MSA-6BINTR
Datenblätter :
AS4C8M32MSA-6BINTR.pdf
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