AS4C8M32MSA-6BINTR - IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für AS4C8M32MSA-6BINTR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AS4C8M32MSA-6BINTR
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile
Speichergröße : 256Mb (8M x 32)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5.5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-VFBGA
Supplier Device Package : 90-FBGA (8x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für AS4C8M32MSA-6BINTR
Datenblätter : AS4C8M32MSA-6BINTR.pdf
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