DMJ70H1D4SV3 - MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

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MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
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Technische Daten für DMJ70H1D4SV3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMJ70H1D4SV3
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 342pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 78W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-251
Paket / fall : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMJ70H1D4SV3

Datenblätter : DMJ70H1D4SV3.pdf

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