ISL9R8120S3ST - DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für ISL9R8120S3ST
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : ISL9R8120S3ST
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Serie : Stealth™
Teilestatus : Obsolete
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 3.3V @ 8A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 300ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 30pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für ISL9R8120S3ST
Datenblätter : ISL9R8120S3ST.pdf
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