FDMS86101DC - MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN

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MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
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Technische Daten für FDMS86101DC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDMS86101DC
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
Serie : Dual Cool™, PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 14.5A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3135pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Dual Cool™56
Paket / fall : 8-PowerTDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDMS86101DC

Datenblätter : FDMS86101DC.pdf

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