CYD09S18V18-200BBXC - IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Hersteller Teilenummer

CYD09S18V18-200BBXC

Interne Teilenummer

AX-CYD09S18V18-200BBXC

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Kurze Beschreibung

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12120 Pieces

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Technische Daten für CYD09S18V18-200BBXC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : CYD09S18V18-200BBXC

Hersteller : Cypress Semiconductor Corp

Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

Speichertyp : Volatile

Speicherformat : SRAM

Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße : 9Mb (512K x 18)

Taktfrequenz : 200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -

Zugriffszeit : 3.3ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 256-LBGA

Supplier Device Package : 256-FBGA (17x17)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : CYD09S , CYD09S18V

Dokumente für CYD09S18V18-200BBXC

Datenblätter : CYD09S18V18-200BBXC.pdf

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