CYD09S18V18-200BBXC - IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
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Kurze Beschreibung
IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für CYD09S18V18-200BBXC
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CYD09S18V18-200BBXC
Hersteller : Cypress Semiconductor Corp
Beschreibung : IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße : 9Mb (512K x 18)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 3.3ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 256-LBGA
Supplier Device Package : 256-FBGA (17x17)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für CYD09S18V18-200BBXC
Datenblätter : CYD09S18V18-200BBXC.pdf
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