FDB070AN06A0 - MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Hersteller Teilenummer

FDB070AN06A0

Interne Teilenummer

AX-FDB070AN06A0

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDB070AN06A0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB070AN06A0

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 175W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDB070AN06A0

Datenblätter : FDB070AN06A0.pdf

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