TSM6NB60CZ C0G - MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für TSM6NB60CZ C0G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TSM6NB60CZ C0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 872pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TSM6NB60CZ C0G
Datenblätter : TSM6NB60CZ C0G.pdf
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