DMN2014LHAB-7 - MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
2187735 Pieces
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Technische Daten für DMN2014LHAB-7
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
DMN2014LHAB-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1550pF @ 10V
Leistung max :
800mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
U-DFN2030-6 (Type B)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für DMN2014LHAB-7
Datenblätter :
DMN2014LHAB-7.pdf
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