FDP038AN06A0 - MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FDP038AN06A0

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDP038AN06A0
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 124nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 310W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220-3
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDP038AN06A0

Datenblätter : FDP038AN06A0.pdf

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