NDD04N60Z-1G - MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-NDD04N60Z-1G
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9576 Pieces
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Technische Daten für NDD04N60Z-1G
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
NDD04N60Z-1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für NDD04N60Z-1G
Datenblätter :
NDD04N60Z-1G.pdf
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