M386ABG40M51-CAE - DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
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Kurze Beschreibung
DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
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Technische Daten für M386ABG40M51-CAE
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : M386ABG40M51-CAE
Hersteller : Samsung Semiconductor
Beschreibung : DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
Serie : DDR3
DDR : DDR4
Dimm-Typ : LRDIMM
Dichte : 256 GB
Rang x Org. : 8R x 4
Geschwindigkeit : 3200 Mbps
Stromspannung : 1.2 V
Anzahl der Pin : 288
Komponente Zusammensetzung : (4H 3DS 16G x 4) x 36
Produckstatus : Sample
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für M386ABG40M51-CAE
Datenblätter : M386ABG40M51-CAE.pdf
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