VS-10ETF10S-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
469530 Pieces
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Technische Daten für VS-10ETF10S-M3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
VS-10ETF10S-M3
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1000V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.33V @ 10A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
310ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
100µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
D2PAK
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 150°C
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für VS-10ETF10S-M3
Datenblätter :
VS-10ETF10S-M3.pdf
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