IXTH3N200P3HV - MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
30107 Pieces
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Technische Daten für IXTH3N200P3HV
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXTH3N200P3HV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
2000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1860pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
520W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXTH3N200P3HV
Datenblätter :
IXTH3N200P3HV.pdf
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