PSMN6R3-120ESQ - MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Hersteller Teilenummer

PSMN6R3-120ESQ

Interne Teilenummer

AX-PSMN6R3-120ESQ

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

167595 Pieces

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Technische Daten für PSMN6R3-120ESQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PSMN6R3-120ESQ

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 120V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 207.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11384pF @ 60V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 405W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PSMN , PSMN6R3

Dokumente für PSMN6R3-120ESQ

Datenblätter : PSMN6R3-120ESQ.pdf

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