TK7S10N1Z,LQ - MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-TK7S10N1Z,LQ
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
856420 Pieces
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Technische Daten für TK7S10N1Z,LQ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TK7S10N1Z,LQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Serie :
U-MOSVIII-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7.1nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
470pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
50W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK+
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TK7S10N1Z,LQ
Datenblätter :
TK7S10N1Z,LQ.pdf
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