TK7S10N1Z,LQ - MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Hersteller Teilenummer

TK7S10N1Z,LQ

Interne Teilenummer

AX-TK7S10N1Z,LQ

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

856420 Pieces

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Technische Daten für TK7S10N1Z,LQ

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK7S10N1Z,LQ

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 50W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK+

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TK7S10N1Z,LQ

Datenblätter : TK7S10N1Z,LQ.pdf

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