DMG8880LK3-13 - MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Hersteller Teilenummer

DMG8880LK3-13

Interne Teilenummer

AX-DMG8880LK3-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1371080 Pieces

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Technische Daten für DMG8880LK3-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG8880LK3-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1289pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.68W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG8880LK3-13

Datenblätter : DMG8880LK3-13.pdf

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