IXTB30N100L - MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTB30N100L
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IXTB30N100L
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTB30N100L
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 545nC @ 20V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 800W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PLUS264™
Paket / fall : TO-264-3, TO-264AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IXTB30N100L
Datenblätter : IXTB30N100L.pdf
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