SI4310BDY-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
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MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
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Technische Daten für SI4310BDY-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI4310BDY-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7.5A, 9.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2370pF @ 15V
Leistung max : 1.14W, 1.47W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 14-SOIC
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI4310BDY-T1-E3
Datenblätter : SI4310BDY-T1-E3.pdf
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