MMIX1F180N25T - MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für MMIX1F180N25T
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MMIX1F180N25T
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
Serie : GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 132A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 364nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 23800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 570W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 24-SMPD
Paket / fall : 24-PowerSMD, 21 Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für MMIX1F180N25T
Datenblätter : MMIX1F180N25T.pdf
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