FDG6303N_G - INTEGRATED CIRCUIT

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INTEGRATED CIRCUIT
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Technische Daten für FDG6303N_G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDG6303N_G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V
Leistung max : 300mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88 (SC-70-6)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : FDG , FDG63

Dokumente für FDG6303N_G

Datenblätter : FDG6303N_G.pdf

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