NGTD13T65F2WP - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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Interne Teilenummer
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Kurze Beschreibung
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für NGTD13T65F2WP
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NGTD13T65F2WP
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : -
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 30A
Leistung max : -
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : -
Td (ein / aus) bei 25 ° C : -
Testbedingung : -
Reverse Recovery Time (trr) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Die
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NGTD13T65F2WP
Datenblätter : NGTD13T65F2WP.pdf
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