NVMFD5C650NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Hersteller Teilenummer

NVMFD5C650NLT1G

Interne Teilenummer

AX-NVMFD5C650NLT1G

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

411750 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für NVMFD5C650NLT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : NVMFD5C650NLT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta), 111A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 98µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2546pF @ 25V

Leistung max : 3.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Supplier Device Package : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : NVMFD , NVMFD5C

Dokumente für NVMFD5C650NLT1G

Datenblätter : NVMFD5C650NLT1G.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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