RGT80TS65DGC11 - IGBT 650V 70A 234W TO-247N
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für RGT80TS65DGC11
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RGT80TS65DGC11
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : IGBT 650V 70A 234W TO-247N
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 650V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) : 120A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 40A
Leistung max : 234W
Energie wechseln : -
Eingabetyp : Standard
Gate Charge : 79nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C : 34ns/119ns
Testbedingung : 400V, 40A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) : 58ns
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247N
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RGT80TS65DGC11
Datenblätter : RGT80TS65DGC11.pdf
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