BSO220N03MDGXUMA1 - MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für BSO220N03MDGXUMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSO220N03MDGXUMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 15V
Leistung max : 1.4W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : PG-DSO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für BSO220N03MDGXUMA1
Datenblätter : BSO220N03MDGXUMA1.pdf
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