SIZF300DT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
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Kurze Beschreibung
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SIZF300DT-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIZF300DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Leistung max :
3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-PowerPair® (6x5)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIZF300DT-T1-GE3
Datenblätter :
SIZF300DT-T1-GE3.pdf
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