BSP297H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Hersteller Teilenummer

BSP297H6327XTSA1

Interne Teilenummer

AX-BSP297H6327XTSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für BSP297H6327XTSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSP297H6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 660mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 400µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 357pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-SOT223-4

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für BSP297H6327XTSA1

Datenblätter : BSP297H6327XTSA1.pdf

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