NSVMUN5133DW1T1G - TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
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Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4624275 Pieces
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Technische Daten für NSVMUN5133DW1T1G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NSVMUN5133DW1T1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS 2PNP BRT BIPO SOT363-6
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : -
Leistung max : 250mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package : SC-88/SC70-6/SOT-363
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NSVMUN5133DW1T1G
Datenblätter : NSVMUN5133DW1T1G.pdf
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