TSM60NB190CI C0G - MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Hersteller Teilenummer

TSM60NB190CI C0G

Interne Teilenummer

AX-TSM60NB190CI C0G

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

164065 Pieces

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~~USD 1.71~~

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Technische Daten für TSM60NB190CI C0G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TSM60NB190CI C0G

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1273pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 33.8W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : ITO-220AB

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TSM60NB190CI C0G.pdf

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