FDB12N50UTM_WS - MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Hersteller Teilenummer

FDB12N50UTM_WS

Interne Teilenummer

AX-FDB12N50UTM_WS

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

6616 Pieces

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Technische Daten für FDB12N50UTM_WS

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDB12N50UTM_WS

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Serie : FRFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1395pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 165W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FDB1 , FDB12N5

Dokumente für FDB12N50UTM_WS

Datenblätter : FDB12N50UTM_WS.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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