NCV5701ADR2G - HIGH CURRENT IGBT GATE DR

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HIGH CURRENT IGBT GATE DR
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NCV5701ADR2G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NCV5701ADR2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Serie : *
Teilestatus : Active
Angetriebene Konfiguration : -
Kanaltyp : -
Anzahl der Treiber : -
Gate-Typ : -
Spannungsversorgung : -
Logikspannung - VIL, VIH : -
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) : -
Eingabetyp : -
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) : -
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) : -
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : -
Paket / fall : -
Supplier Device Package : -
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : NCV5 , NCV570

Dokumente für NCV5701ADR2G

Datenblätter : NCV5701ADR2G.pdf

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