SI1025X-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI1025X-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI1025X-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.7nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
23pF @ 25V
Leistung max :
250mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package :
SC-89-6
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI1025X-T1-GE3
Datenblätter :
SI1025X-T1-GE3.pdf
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