IPB80P04P4L08ATMA1 - MOSFET P-CH TO263-3

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
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MOSFET P-CH TO263-3
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Technische Daten für IPB80P04P4L08ATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPB80P04P4L08ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH TO263-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 120µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5430pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 75W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO263-3-2
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IPB80P04P4L08ATMA1

Datenblätter : IPB80P04P4L08ATMA1.pdf

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