IPS110N12N3GBKMA1 - MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
10024 Pieces
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Technische Daten für IPS110N12N3GBKMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPS110N12N3GBKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 83µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4310pF @ 60V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
136W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPS110N12N3GBKMA1
Datenblätter :
IPS110N12N3GBKMA1.pdf
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