R8010ANX - MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Hersteller Teilenummer

R8010ANX

Interne Teilenummer

AX-R8010ANX

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 10A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

146575 Pieces

Referenzpreis

~~USD 1.914~~

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Technische Daten für R8010ANX

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : R8010ANX

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1750pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220FM

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für R8010ANX

Datenblätter : R8010ANX.pdf

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