FDU8770 - MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Hersteller Teilenummer

FDU8770

Interne Teilenummer

AX-FDU8770

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für FDU8770

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDU8770

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 73nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3720pF @ 13V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 115W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDU8770.pdf

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